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[主观题]

邻近压电晶片,声压分布不均匀的超声场为()此区长度在频率给定时,随晶片直径变小而()。用公式L0=(D2£­λ2)£¯4λ表示。

邻近压电晶片,声压分布不均匀的超声场为()此区长度在频率给定时,随晶片直径变小而()。用公式L0=(D2£­λ2)£¯4λ表示。

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第1题
3.在半自由声场空间中离点声源2 m处测得声压的平均值为88 dB,(1)求其声功率级和声功率;(2)求距声源5m处的声压级。
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第2题
对超声场的分布描述错误的是()。

A.距离换能器较远时,声场很快发散

B.距换能器近处,声场变化较大,振荡剧烈

C.与换能器的尺寸有关

D.不受发射频率的影响

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第3题
用硫酸锂制作的压电晶片,其接收效率比PZT5的锆钛酸铅压电晶片低。()
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第4题
用硫酸锂制作的压电晶片,其接收效率比PZT5的锆钛酸铅压电晶片高。()
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第5题
组合双晶直探头的压电晶片前装有()

A.阻尼块

B.匹配线圈

C.延迟块

D.保护膜

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第6题
某压电晶体的频率常数Nt=2000KHz·mm,欲制作中心频率5MHz的晶片,其晶片厚度应为()

A.0.2mm

B.0.4mm

C.0.8mm

D.1.6mm

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第7题
在超声波声场的未扩散区,可将声源辐射的超声波看成平面波,平均声压不变。()
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第8题
压电晶片的基频()

A.是所加电脉冲持续时间的函数

B.是仪器接收器放大特性的函数

C.是晶片厚度的函数

D.以上都不对

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第9题
压电晶片£­耦合剂£­钢的声阻抗分别为Z晶、Z耦、Z钢,当耦合剂薄层厚度为1£¯4波长时,从声阻抗考虑,超音波易于通过的条件为()

A.Z耦=(Z晶+Z钢)1/2

B.Z耦=(Z钢-Z晶)1/2

C.Z耦=(Z晶Z钢)1/2

D.Z耦=(Z晶/Z钢)1/2

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第10题
单晶直探头发射超声波时,是利用压电晶片的()。

A.压电效应

B.逆压电效应

C.电涡流效应

D.光电效应

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第11题
声阻抗被用来表征声场中的()。

A.介质对质点振动的阻碍作用

B.介质的密度

C.介质的振动速度

D.介质的声压

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