A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一
B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度,要想获得大的注入比就要求
C.决定异质pn结注入比的是 ,通常可获得较大的注入比
D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比
A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍
B.沟道电阻不变
C.饱和区跨导缩小K倍
D.栅极总电容缩小K倍