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[主观题]

下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。

下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（)。

A.CF4

B.BCl3

C.Cl2

D.F2

E.CHF3

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第1题

为了避免（)在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

A.多晶硅

B.单晶硅

C.铝硅铜合金

D.铜

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第2题

光刻技术的原理和印刷的照相制版相似，即在硅基材料上涂覆光刻胶，接着利用分辨率极高的能量束来通过掩模，对光刻胶层进行选择性曝光。经显影后，在光刻胶层上获得和掩模图像相同的极微细的几何图形，再利用刻蚀等方法在工件材料上制造出微型结构。（)

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第3题

物质的第四种形态是（)。

A.固体

B.液体

C.气体

D.等离子体

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第4题

7000系列的铝镁硅合金属于非热处理铝合金。（)

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第5题

一般采用（)溶液来浸蚀含锰、硅的铝合金零件。

A.硝酸

B.氢氟酸

C.硫酸

D.硝酸加氢氟酸

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第6题

铝及铝合金的化学氧化层主要是下列哪种物质？（)

A.三氧化二铝

B.硫酸铝

C.三氧化二铁

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第7题

硅铝合金产品交货粒度小于10mm的不超过总量的（)。

A.5%

B.10%

C.15%

D.20%

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第8题

下列物质是绝缘体的有()。

A.塑料

B.硅

C.石英玻璃

D.橡胶

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第9题

下列物质属于碱性熔剂的是（)。

A.蛇纹石

B.硅砂

C.白云石

D.焦粉

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第10题

铸造铝合金按添加其它元素的不同可以分为铝硅合金系、铝铜合金系、铝镁合金系、铝锌合金系。（)

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第11题

试判断下列各组物质的熔点高低:(1)金刚石,单质硅,硅甲烷(SiH₄);(2)单质碘,单质硅,五氯化碘;(3)生石灰,膦(PH₃),荧石(CaF₂).

试判断下列各组物质的熔点高低:（1)金刚石,单质硅,硅甲烷（SiH₄);（2)单质碘,单质硅,五氯化碘;（3)生石灰,膦（PH₃),荧石（CaF₂).

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