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[单选题]
为定量分析MOSFET电流-电压特性，可以假定（)。
A.漏区和源区的电压降可以忽略不计
B.沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多
C.在沟道内载流子的迁移率为常数
D.其他选项都正确
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A.漏区和源区的电压降可以忽略不计
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C.在沟道内载流子的迁移率为常数
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一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：
(1)该管是耗尽型还是增强型？
(2)是N沟道还是P沟道FET？
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V？其值等于多少？
一般辐射源依其特性可概略分为电压源与电流源，电压源在近场为()，电流源在近场为()，但在行经一段距离后均与空气阻抗377欧姆匹配而辐射。
A 高阻抗，低阻抗
B 高阻抗，高阻抗
C 低阻抗，低阻抗
D 低阻抗，高阻抗
若二极管D的伏安特性可用图4.5.10(b)中的折线来近似，输人电压为
试求图(a)中电流i各频谱成分的0大小(设g、RL、VM均已知)。
试求：(1)额定转速、励磁电流为2.5A时，空载电压是多少？(2)若转速降为900r/min，空载电压为多少？(3)满载时的电磁功率为多少？
A.当没有顺过电压时呈现高阻抗，一旦响应雷电瞬时过电压时，其阻抗就突变为低值，允许雷电流过
B.当没有瞬时过电压时呈现高阻抗，但随电涌电流和电压的增加其阻抗会不断减小，其电流电压特性为强烈非线性
C.与被保护的设备关联，对雷电脉冲呈现为低阻抗，而对正常工作频率呈现高阻抗
D.与被保护的设备串联，对雷电脉冲呈现为高阻抗，而对正常的工作频率呈现为低阻抗
