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[单选题]

在半导体中掺入微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。

A.W型

B.N型有P型

C.U型

D.V型

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第1题
当半导体掺入微量杂质后,其电阻率会显著增大。()
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第2题
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。

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第3题
生产者、销售者在产品中掺入杂质或者造假,进行质量欺诈的制造行为,是()的行为。

A.以假充真

B.以次充好

C.掺杂掺假

D.以不合格品冒充合格品

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第4题
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.晶格缺陷

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第5题
掺杂后的半导体叫杂质半导体。()
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第6题
根据掺杂的工艺不同,半导体材料分为哪两大类?()

A.杂质半导体

B.N型半导体

C.P型半导体

D.形状记忆半导体

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第7题
根据掺入杂质性质的不同,杂质半导体分()型和()型半导体。
根据掺入杂质性质的不同,杂质半导体分()型和()型半导体。

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第8题
因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为___半导体和___半导体两大类。

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第9题
微量杂质不能显著改变半导体的导电能力。()
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第10题

P型半导体可通过在本征半导体中掺入五价磷元素而获得。()

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第11题
在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。
在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。

A.晶圆顶层的保护层

B.多层金属的介质层

C.多晶硅与金属之间的绝缘层

D.掺杂阻挡层

E.晶圆片上器件之间的隔离

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