题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？（)
A.多子积累
B.少子积累
C.多子耗尽
D.少子反型
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B.空穴，负极，电子，正极
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A.小于外加电压
B.等于外加电压
C.大于外加电压
D.不一定
A.InSb-NiSb共晶材料的特点是在InSb的晶体中掺有NiSb，在结晶过程中会析出NiSb针状晶体
B.长方形磁阻元件在外加磁场作用下，物理磁阻效应和几何磁阻效应同时存在
C.长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系
D.常见的磁阻元件有长方形磁敏电阻元件、科宾诺元件、InSb-NiSb共晶磁阻元件
A.质子吸收了能量
B.质子磁距旋进的角度以及偏离B0轴的角度均加大
C.质子都要经过反复的射频脉冲激发
D.质子都要经过反复的弛豫过程
E.质子发生磁共振而达到稳定的高能状态后不再发生变化
A.控制塑料质量
B.烘料
C.控制注射工艺参数
D.对热、氧稳定性差的塑料加稳定剂
E.塑件结构
