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[主观题]

PN结中多子的扩散运动和少子的漂移运动，都是直接由载流子浓度差所形成的。（)

此题为判断题(对，错)。

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更多“PN结中多子的扩散运动和少子的漂移运动，都是直接由载流子浓度…”相关的问题

第1题

在PN结中由于浓度的差异空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动这就是（）。

A.扩散运动

B.漂移运动

C.有序运动

D.同步运动

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第2题

MOS结构半导体表面处于反型区时，表面电荷的改变主要依靠的是漂移与扩散运动。（)

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第3题

下面哪种方式无法减少pn结的扩散电容:（）。

A.减小少子寿命

B.减小结面积

C.减小掺杂浓度

D.减小正向直流偏压

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第4题

P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的，其多子是()，少子是()。

P型半导体是在本征半导体中掺入（)价杂质形成的，其多子是（)，少子是（)。

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第5题

漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。（)

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第6题

把N型和P型半导体有机结后在一起，通过扩散运动在交界处就形成了空间电荷区。（)

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第7题

场效应管和三极管一样，都有两种载流子（多子和少子)参与导电。（)

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第8题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？（)

A.多子积累

B.少子积累

C.多子耗尽

D.少子反型

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第9题

涂层扩散法是用含有磷的溶液代替()进行()和加热，使磷向硅片中扩散形成pn结，具有简单易于大型化生产的优点。

涂层扩散法是用含有磷的溶液代替（)进行（)和加热，使磷向硅片中扩散形成pn结，具有简单易于大型化生产的优点。

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第10题

当载流子积累的能量超过禁带宽度时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是碰撞电离过程，其主要发生在反偏PN结的（)中。

A.中性区

B.欧姆电极

C.耗尽区

D.扩散区

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