A.金属的实际结晶温度比理论结晶温度低
B.非自发形核比自发形核速率快
C.纯金属结晶过程中,温度不变
D.控制晶粒的方法有控制过冷度、变质处理和机械方法等
A.冷流体内,越靠近壁处温度梯度越小;热流体内,越靠近壁面处温度梯度越大
B.冷流体内,越靠近壁处温度梯度越大;热流体内,越靠近壁面处温度梯度越小
C.冷、热流体内,越靠近壁处温度梯度均越小
D.冷、热流体内,越靠近壁处温度梯度均越大
A.能量调节旁通阀开启
B.吸气压力越低时旁通阀开度越大
C.制冷剂旁通量越多
D.制冷剂旁通越少
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加,阈值电压增加