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[主观题]

已知一个硅二极管在外加正向电压VD=0.6V时的正向电流为ID=10mA，试计算当VD增加到0.66V时（即增加10%)的正向

已知一个硅二极管在外加正向电压V_D=0.6V时的正向电流为I_D=10mA，试计算当V_D增加到0.66V时(即增加10%)的正向电流I_D为多少？并分析所得结果。

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第1题

在常温下，硅二极管的开启电压约为（）V，导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

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第2题

在常温下，硅二极管的门槛电压约为（）V，导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

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第3题

二极管的最主要特性是（）。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。

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第4题

二极管的最主要特性是（）PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。

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第5题

在常温下，硅二极管的门槛电压约为（）V，导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管的门槛电压约为（）V，导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

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第6题

在常温下，硅二极管的死区电压约为()V，导通后正向压降约为()V;锗二极管的死区电压约为()V，导通后正向压降约为()V。

在常温下，硅二极管的死区电压约为（)V，导通后正向压降约为（)V;锗二极管的死区电压约为（)V，导通后正向压降约为（)V。

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第7题

在常温下，硅二极管的门槛电压约为___V，导通后在较大电流下的正向压降约为___V；锗二极管的门槛电压约为___V，导通后在较大电流下的正向压降约为___V。

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第8题

在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。

A.0.1V/0.5V

B.0.2V/0.5V

C.0.5V/0.7V

D.0.5V/1.0V

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第9题

电路如图题3.4.14所示，D为硅二极管，V_D=2V，R=1千欧，正弦信号v_e=50sin(2πx50t)mV。(1)静

电路如图题3.4.14所示，D为硅二极管，V_D=2V，R=1千欧，正弦信号v_e=50sin（2πx50t)mV。（1)静

态(即v_e=0)时，求二极管中的静态电流和v₀的静态电压;(2)动态时，求二极管中的交流电流振幅和v₀的交流电压振幅;(3)求输出电压v₀的总量。

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第10题

对应于正向电流很小的外加正向电压叫死区电压，通常硅管的死区电压为（)V。

A.0.1

B.0.2

C.0.3

D.0.5

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第11题

当二极管外加的正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（）

A．饱和

B．减小

C．截止

D．增加

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