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[主观题]

设输出特性如图题5.3.1所示的BJT接入图题5.3.2所示的电路，图中V_CC=15V，R_e=1.5千欧，i

n=20μA，求该器件的Q点。

设输出特性如图题5.3.1所示的BJT接入图题5.3.2所示的电路，图中VCC=15V，Re=1.5

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更多“设输出特性如图题5.3.1所示的BJT接入图题5.3.2所示…”相关的问题

第1题

设PNP型硅BJT的电路如图题5.3.6所示。问v_B在什么变化范围内，使T工作在放大区？令β=100。

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第2题

电路如图题5.7.5所示，设FET的互导为g_m，r_dn很大;B_JT的电流放大系数为β，输入电阻为r

_br。(1)画出该电路的小信号等效电路;(2)说明T₁，T₂各组成什么组态;(3)求该电路的电压增益A_P，输入电阻R_i及输出电阻R₀的表达式。

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第3题

试从图题5.3.1的输出特性中，作出v_DS=4V时的转移特性。

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第4题

多路电流源电路如图题7.1.7所示(L_M741的偏置电路)，求电路中各支路电流I_REF。假设BJT的|

多路电流源电路如图题7.1.7所示（L_M741的偏置电路)，求电路中各支路电流I_REF。假设BJT的|

多路电流源电路如图题7.1.7所示(L_M741的偏置电路)，求电路中各支路电流I_REF。假设BJT的|V_BE|=0.6V，β=∞，各管结面积相同。

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第5题

已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b(主教材图题4.3.3

已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a（主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b（主教材图题4.3.3

)所示。电路参数为，R_g1=180千欧，R_g2=60千欧，R_d=10千欧，R_L=20千欧，V_DD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线，决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当v_i=0.5sinwt(V)时求出相应的v₀波形和电压增益。

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第6题

电路如图题6.3.2所示，已知BJT的β=50，r_be=0.72千欧。(1)试估算该电路源电压增益的下限频率;(

电路如图题6.3.2所示，已知BJT的β=50，r_be=0.72千欧。（1)试估算该电路源电压增益的下限频率;（

2)|V_im|=10mV，且f=f_L则|V_om|等于多少？V₀与V₁间的相位差是多少？

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第7题

电路如图题10.8.1所示，A₁、 A₂为理想运放，二极管D也是理想器件，R_b=51千欧，R_e=5

.1千欧，BJT的β=50，V_CES≈0，I_CEO≈0，试求:(1)当v₁=1V时，v₀等于多少？ (2)当v₁=3V时，v₀等于多少？(3)当v₁=5sin_wt(V)时，试画出v₁、v₀₂和v₀的波形。

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第8题

电路如图题5.7.6所示，其中V_DD=+5V，R_ai=100kN，R_g1=R_g2=10MN，R_n=6.8kQ，R_e

=3 kS，R_L=1，BJT的V_BE=0.7V，β=200，MOS管的V_TS=1V，K_n=1mA/V²。对交流信号，电容C_b1、C_b2，C_b3均可视为短路。(1)分别求解两管的静态电流，即T₁管的I_DQ、T₂管的I_CQ。(2)画出该电路的交流通路。(3)求该电路的电压增益A_P、输入电阻R_i和输出电阻R₀。

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第9题

输出电压的扩展电路如图题11.2.4所示。设V₃₂=V_xx ，试证明：

输出电压的扩展电路如图题11.2.4所示。设V₃₂=V_xx，试证明：

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第10题

电路如图题5.4.6所示，设β=100，V_BEQ=0.7V。(1)估算Q点;(2)求电压增益A_r、输入电阻R_i

电路如图题5.4.6所示，设β=100，V_BEQ=0.7V。（1)估算Q点;（2)求电压增益A_r、输入电阻R_i

和输出电阻R₀。

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