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更多“改变晶体管栅极的目的是控制源极和漏极之间的()大小”相关的问题
第1题
用欧姆表的两测试棒分别连接JFFT的漏极和源极,测得阻值为R1,然后将红棒(接负电压)同时与棚极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为R1,再将黑棒(接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R2,且R2＜R1,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道.
用欧姆表的两测试棒分别连接JFFT的漏极和源极,测得阻值为R1,然后将红棒（接负电压)同时与棚极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为R1,再将黑棒（接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R2,且R2＜R1,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道.
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第2题
在一个共源放大电路中，已知栅极和漏极间的中频电压增益Au=-gmR'L=-27，MOS管的
Cgm=0.3 pF，Cgd=0.1pF。(1)试求该电路输入回路的总电容;(2)若要求源电压增益的上限频率fH＞10MHz，试求信号源内阻Rsi的取值范围。设该电路的输入电阻很大，其影响可以忽略。
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第3题
下面哪种器件属于常用的三端器件？它具有栅极G、集电极C和发射极E，它综合了GTR和Power－MOSFET的优点。（)
A.绝缘栅双极晶体管
B.门极可关断晶闸管
C.静电感应晶体管
D.集成门极换流晶闸管
