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第4题
以下关于MOSFET阈值电压的说法中，错误的是（)。
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加，阈值电压增加
第11题
下列哪种表述是错误的（)。
A.如果行业中企业扩张的速度大于市场总规模扩大的速度，则行业集中度趋低
B.市场总规模越小，其市场集中度较高的可能性就越大
C.一个行业规模经济性的显著程度越高，高集中度的可能性就越大
D.市场总规模较大，则少数企业的规模扩张对集中度的影响相对较小，集中度难以迅速上升
