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题目内容 (请给出正确答案)
[多选题]

异质结能带结构的特点包括:()。

A.在两种材料的交界面处,能带弯曲不连续,形成“凹口”和“尖峰”

B.能带在交界面处,有一个突变(导带阶和价带阶)

C.能带的变化是连续的

D.能带的变化与两种材料的费米能级无关

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第1题
在同质结结构中,为了得到20%以上的高效率,必须让结合深度在()以下的浅层处,因此在异质表面结构中,通入插入宽禁带宽度的窗层,增加结合深度高定的自由度,就可以实现高效率。
在同质结结构中,为了得到20%以上的高效率,必须让结合深度在()以下的浅层处,因此在异质表面结构中,通入插入宽禁带宽度的窗层,增加结合深度高定的自由度,就可以实现高效率。

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第2题
同晶异质代换作用中,高价离子代换低价离子时胶体______。

A.电荷不变

B.带正电

C.带负电

D.有可能带正电,有可能带负电

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第3题
负电子亲合势光电阴极的能带结构如何?它具有哪些特点?
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第4题
以下关于动词特点的说法正确的是()。

A.一般情况下不能带宾语,能作谓语或谓语中心

B.能受“不”修饰(少数能前加程度副词)

C.多数能用”V不V"结构

D.多数能带动态助词“着、了、过”

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第5题
在异质结双极型晶体管中,通常将发射结作成异质结,即用宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区。()
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第6题
异质结的超注入现象是指?()

A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度

C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

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第7题
关于群体结构中的同质和异质理解比较正确的是()。

A.在完成简单的任务时,同质结构的群体效率较高

B.在完成复杂的任务时,异质结构的群体有较高的效率

C.企业中的基层生产班组具有同质结构比较适当

D.领导班子中最好具有异质结构

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第8题
关于pn结的注入特性,以下说法正确的是?()

A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一

B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度,要想获得大的注入比就要求

C.决定异质pn结注入比的是 ,通常可获得较大的注入比

D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比

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第9题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?()

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

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第10题
关于影响目标市场策略选择的因素中说法中正确的是()

A.我国的中小企业比较适合采用集中性市场策略

B.汽油、钢铁、原粮等产品在性能、特点上差异性很小适宜采用无差异性营销策略

C.市场上顾客对产品的需求相近即为异质市场适宜采用差异性或集中性策略

D.在产品生命周期的成熟期,最好采用差异性市场策略和集中性策略

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