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[判断题]

AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。()

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第1题
半导体中掺入()族元素,则可形成P型半导体,掺入()族元素则可以形成N型半导体。

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第2题
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。

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第3题
发光二极管的核心部分是由下列哪种半导体组成的晶片?()

A.P型半导体

B.N型半导体

C.P型半导体和N型半导体

D.PN结

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第4题
根据掺杂的工艺不同,半导体材料分为哪两大类?()

A.杂质半导体

B.N型半导体

C.P型半导体

D.形状记忆半导体

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第5题
室温时,P型半导体的霍耳系数为()。【填写“正”或“负”】
室温时,P型半导体的霍耳系数为()。【填写“正”或“负”】

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第6题
把一块P型半导体放在z方向的磁场中,半导体沿正x方向通有电流,则霍耳电场的方向指向?()

A.正y方向

B.负y方向

C.正z方向

D.负z方向

E.正x方向

F.负x方向

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第7题
下列关于半导体应变片的说法错误的是()。

A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时,其电阻率P发生变化的现象

B.半导体应变片的灵敏系数极大,因而输出也大,可以不需要放大器直接与记录仪器连接

C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好

D.半导体应变片按照特性分类,可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片

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第8题
下列描述中哪一条不正确()。

A.金属材料电子浓度很高,RH很大,UH很小

B.任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势,但不是都可以制造霍尔元件

C.半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率,所以霍尔元件多采用N型半导体(多电子)

D.厚度d越小,霍尔灵敏度越大,所以霍尔元件做的较薄,通常近似1微米

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第9题
对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为:()。

A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动

B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动

C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动

D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动

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第10题
N型半导体中既然有多数载流子,则它成为带电体。()
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第11题
硅的晶格结构是(),按能带结构划分属于()。

A.金刚石型,直接带隙半导体

B.闪锌矿型,直接带隙半导体

C.金刚石型,间接带隙半导体

D.闪锌矿型,间接带隙半导体

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