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[主观题]

设PNP型硅BJT的电路如图题5.3.6所示。问vB在什么变化范围内,使T工作在放大区?令β=100。

设PNP型硅BJT的电路如图题5.3.6所示。问vB在什么变化范围内,使T工作在放大区?令β=100

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第1题
设输出特性如图题5.3.1所示的BJT接入图题5.3.2所示的电路,图中VCC=15V,Re=1.5千欧,i
n=20μA,求该器件的Q点。

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第2题
电路如图题5.7.5所示,设FET的互导为gm,rdn很大;BJT的电流放大系数为β,输入电阻为r
br。(1)画出该电路的小信号等效电路;(2)说明T1,T2各组成什么组态;(3)求该电路的电压增益AP,输入电阻Ri及输出电阻R0的表达式。

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第3题
电路如图题1-7所示,稳压管为硅管,正向导通压降为uD=0.7V且稳定定压Uz=8V,设us=15s
inωtV,试画出电压uo的波形。

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第4题
多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF。假设BJT的|
多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF。假设BJT的|

多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF假设BJT的|VBE|=0.6V,β=∞,各管结面积相同。

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第5题
电路如图题6.3.2所示,已知BJT的β=50,rbe=0.72千欧。(1)试估算该电路源电压增益的下限频率;(
电路如图题6.3.2所示,已知BJT的β=50,rbe=0.72千欧。(1)试估算该电路源电压增益的下限频率;(

2)|Vim|=10mV,且f=fL则|Vom|等于多少?V0与V1间的相位差是多少?

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第6题
在放大电路中,若测得某三极管的三个电极电位分别为3V,9V, 3.2V,该三极管是()。

A.PNP型硅三极管

B.PNP型锗三极管

C.NPN型硅三极管

D.NPN型锗三极管

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第7题
测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,则此三极管为()

A.PNP型锗三极管

B.NPN型锗三极管

C.PNP型硅三极管

D.NPN型硅三极管

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第8题
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶

体三极管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av

(2)利用上题提供的管子参数,试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。

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第9题
电路如图题10.8.1所示,A1、 A2为理想运放,二极管D也是理想器件,Rb=51千欧,Re=5
.1千欧,BJT的β=50,VCES≈0,ICEO≈0,试求:(1)当v1=1V时,v0等于多少? (2)当v1=3V时,v0等于多少?(3)当v1=5sinwt(V)时,试画出v1、v02和v0的波形。

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第10题
电路如图题3.4.9所示,D1、D2为硅二极管,当vi=6sinwt(V)时,试用恒压降模型分析电路,绘出输出
电路如图题3.4.9所示,D1、D2为硅二极管,当vi=6sinwt(V)时,试用恒压降模型分析电路,绘出输出

电压V0的波形。

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