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[主观题]

电路如图题7.2.5所示，电路参数如图所示，已知JFET的I_DSS=4mA，V_TP=-2V，T₁、T₂的

电路如图题7.2.5所示，电路参数如图所示，已知JFET的I_DSS=4mA，V_TP=-2V，T₁、T₂的g_m=1.41mS，电流源电路T₃的g_m3=2mS，电流源的动态电阻R_AB=2110千欧。(1)求电路A_ed2、A_ec2(从d₂输出时)和K_cCMR2;(2)当v_i1=50mV，v_i2=10mV时，求v₀₂等于多少？ (3)求差模输入电阻R_id，共模输入电阻R_ic和输出电阻R₀₂。

电路如图题7.2.5所示，电路参数如图所示，已知JFET的IDSS=4mA，VTP=-2V，T1、T

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第1题

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型分析法求电压增益A_v;(4)电路其他参数不变，如果要使V_CEQ=4V，问基极上偏流电阻R_b1为多大？

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第2题

电路如图题4.6.3所示，设场效应管的参数为g_m1=1mS，g_m2=0.2mS，且满足g_m1＜r_de2，

试求a_e=v₀，p=v_i。

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第3题

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)所示。电路参数为，R_g1=180千欧，R_g2=60千欧，R_d=10千欧，R_L=20千欧，V_DD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线，决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当v_i=0.5sinwt(V)时求出相应的v₀波形和电压增益。

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第4题

高通电路如图题9.3.7所示。已知Q=1，试求其幅频响应的峰值，以及峰值所对应的角频率。设w_c=2π

x200rad/s。

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第5题

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第6题

加减运算电路如图题2.4.8所示，求输出电压v₀的表达式。

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第7题

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电路如图题7.1.1所示，I_REF=I₁=1mA， NMOS管的参数为：V_TN=1V，K_n=50μA/V²，λ_n=0。PMOS管的参数为：V_TP= -1V，K_P=25μA/V，λ_P=0，设全部管子均运行于饱和区，试求R、I₃和I₄的值。各管的W/L值见图示。

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第8题

输出电压的扩展电路如图题11.2.4所示。设V₃₂=V_xx ，试证明：

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第9题

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电路如图5-5所示,写出电压转移函数为得到无失真传输,元件参数R₁,R₂,C₁,C₂应满足什么关系？

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第10题

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电压V₀的波形。

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