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[判断题]

绝缘栅双极型晶体管（IGBT)综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。（)

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第1题

下面哪种器件属于常用的三端器件？它具有栅极G、集电极C和发射极E，它综合了GTR和Power－MOSFET的优点。（)

A.绝缘栅双极晶体管

B.门极可关断晶闸管

C.静电感应晶体管

D.集成门极换流晶闸管

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第2题

双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（)。

A.均为电压控制

B.均为电流控制

C.双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制

D.双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制

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第3题

双极型晶体管的集电极延迟时间是由集电结扩散电容的充放电引起的。（)

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第4题

双极型晶体管做共发射极连接使用时，Early效应能有效调节集电极电流大小，使晶体管工作稳定。（)

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第5题

双极型晶体管(BJT)工作在放大区的条件是()。

双极型晶体管（BJT)工作在放大区的条件是（)。

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第6题

共基极连接使用的双极型晶体管没有电压放大作用，但是有电流和功率放大作用。（)

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第7题

双极型晶体管的电流增益-带宽乘积指的是（)。

A.截止频率

B.特征频率

C.最高振荡频率

D.以上都不对

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第8题

在双极型晶体管放大电路的直流通路中，（)。

A.直流电压源等效为短路

B.电容开路

C.电感短路

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第9题

双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的（)。

A.最大值

B.最小值

C.平均值

D.总值

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