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[判断题]

N型半导体是在本征半导体中,加入少量的三价元素构成的杂质半导体。()

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第1题

P型半导体可通过在本征半导体中掺入五价磷元素而获得。()

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第2题
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。

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第3题
下列关于费米能级的说法错误的是()。

A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远

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第4题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?()

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

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第5题
本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的,同时产生的。()
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第6题
关于辐射跃迁,以下说法正确的是?()

A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程

B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁

C.作为半导体发光材料,要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势

D.辐射跃迁包括带间跃迁,有杂质或缺陷参与的跃迁,以及带内跃迁

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第7题
本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是()。

A.大于

B.小于

C.等于

D.无关

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第8题
半导体中的光吸收,主要有以下哪几种?()

A.本征吸收

B.自由载流子吸收

C.杂质吸收

D.激子吸收

E.谷间跃迁吸收

F.D-A对吸收

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第9题
在半导体中,靠电子导电的半导体称P型半导体。()
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第10题
在P型半导体中()是多数载流子;在N型半导体中电子是多数载流子。
在P型半导体中()是多数载流子;在N型半导体中电子是多数载流子。

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第11题
在半导体材料中,其说法正确的是()

A.P型半导体和N型半导体材料本身不带电

B.P型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带正电

C.N型半导体中,由于多数载流子为自由电子,所以它带负电

D.N型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带负电

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