电路如图题5.7.6所示，其中V_DD=+5V，R_ai=100kN，R_g1=R_g2=10MN，R_n=6.8kQ，R_e

=3 kS，R_L=1，BJT的V_BE=0.7V，β=200，MOS管的V_TS=1V，K_n=1mA/V²。对交流信号，电容C_b1、C_b2，C_b3均可视为短路。(1)分别求解两管的静态电流，即T₁管的I_DQ、T₂管的I_CQ。(2)画出该电路的交流通路。(3)求该电路的电压增益A_P、输入电阻R_i和输出电阻R₀。

电路如图题5.7.6所示，其中VDD=+5V，Rai=100kN，Rg1=Rg2=10MN，Rn=6

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第1题

电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示，设R_g1=90千欧，R_g2=60千欧，R_d=30千欧，V_DD⌘

电路如图题4.3.1（主教材图4.3.7b)所示，设R_g1=90千欧，R_g2=60千欧，R_d=30千欧，V_{DD⌘电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示，设R_g1=90千欧，R_g2=60千欧，R_d=30千欧，V_DD=5 V，V_TS=1V，K_n=0.1mA/V₂。试计算电路的漏极电流I_D和漏源电压V_DS。}

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第2题

已知电路和场效应管的输出特性分别如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)和图题4.3.3b(主教材图题4.3.3

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)所示。电路参数为，R_g1=180千欧，R_g2=60千欧，R_d=10千欧，R_L=20千欧，V_DD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线，决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当v_i=0.5sinwt(V)时求出相应的v₀波形和电压增益。

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第3题

已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：(1)电

已知电路如图题4.3.3a（主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：（1)电

源电压V_DD，静态栅源电压V_GS，漏极电流I_DQ和漏源电压V_DSQ值;(2) 已知R_g1=200kQ，R_g2等于多少？(3) R_d、R_L的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度V_om(设v_i为正弦信号)。

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第4题

试判断如图2.11所示的电路能否按各图所要求的逻辑关系正常工作？若不能正常工作,请做相应的改动

.若电路接法有错,改电路:若电路正确但给定的逻辑关系不对,则写出正确的逻辑表达式.能正常工作的在图中括号内打“√",否则打“x".已知TTL门的I_OH=0.4mA,I_OL=10mA,U_OH=3.6V,U_OL=0.3V,CMOS门的V_DD=5V,U_OH=5V,U_OL=0V,I_OH=0.51mA,I_OL=0.51mA.