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[主观题]

电路如图题5.7.5所示,设FET的互导为gm,rdn很大;BJT的电流放大系数为β,输入电阻为r

br。(1)画出该电路的小信号等效电路;(2)说明T1,T2各组成什么组态;(3)求该电路的电压增益AP,输入电阻Ri及输出电阻R0的表达式。

电路如图题5.7.5所示,设FET的互导为gm,rdn很大;BJT的电流放大系数为β,输入电阻为rb

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第1题
二极管电路如图题3.4.12所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO两端电压VA0
。设二极管是理想的。

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第2题
输出电压的扩展电路如图题11.2.4所示。设V32=Vxx ,试证明:
输出电压的扩展电路如图题11.2.4所示。设V32=Vxx,试证明:

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第3题
设输出特性如图题5.3.1所示的BJT接入图题5.3.2所示的电路,图中VCC=15V,Re=1.5千欧,i
n=20μA,求该器件的Q点。

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第4题
电路如图题5.4.6所示,设β=100,VBEQ=0.7V。(1)估算Q点;(2)求电压增益Ar、输入电阻Ri
电路如图题5.4.6所示,设β=100,VBEQ=0.7V。(1)估算Q点;(2)求电压增益Ar、输入电阻Ri

和输出电阻R0

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第5题
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶

体三极管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av

(2)利用上题提供的管子参数,试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。

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第6题
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问:(1)该管
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问:(1)该管

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问:

(1)该管是耗尽型还是增强型?

(2)是N沟道还是P沟道FET?

(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V?其值等于多少?

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第7题
电路如图题2.1.1所示,运放的设输出电压的最大饱和电压值±Vom=±11V.(1)如果vP=25μV,vN=
电路如图题2.1.1所示,运放的设输出电压的最大饱和电压值±Vom=±11V.(1)如果vP=25μV,vN=

电路如图题2.1.1所示,运放的设输出电压的最大饱和电压值±Vom=±11V.(1)如果vP=25μV,vN=100μV,试求输出电压v0=?实际上v0应为多少?(2)设Vom=±11V,画出它的传输特性。

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第8题
电路如图题1-7所示,稳压管为硅管,正向导通压降为uD=0.7V且稳定定压Uz=8V,设us=15s
inωtV,试画出电压uo的波形。

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第9题
高通电路如图题9.3.7所示。已知Q=1,试求其幅频响应的峰值,以及峰值所对应的角频率。设wc=2π
x200rad/s。

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第10题
仪用放大器电路如图题2.4.3(主教材2.4.3)所示,设电路中R4=R3,R1为一固定电阻R'
仪用放大器电路如图题2.4.3(主教材2.4.3)所示,设电路中R4=R3,R1为一固定电阻R'

1=1千欧和一电位器RP串联,即R1=R'1+RP,若要求电压增益在5~400之间可调,求所需电阻R2、RP的阻值范围。并选取R2、R3,R4和RP但电路中每个电阻值必须小于250千欧。

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