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图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,
试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
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(1) 求静态工作点和跨导;
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在题7.5图所示的分压式偏置电路中，三极管为硅管，β=40，UBE=0.7V。
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(3)若射极傍路电容断开，重复(2)中的计算。
在图LP4-69所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb=50Ω,
试求高频电压传递函数
的表示式.
题7-13图(a)所示曲柄肘式压床，已知曲柄OA长为r，以匀角速度w转动，AB=BC=BD=l,当曲柄与水平线成30°角时，连杆AB处于水平位置，而肘杆BD与铅垂线也成30°角。试求机构在图示位置时连杆AB和BC的角速度及冲头C的速度。
知RL=8Ω,设变压器是理想的,RE上的直流压降可忽略,试运用图解法:(1)Vcc=15V,R'L=50Ω,在负载匹配时,求相应的n、PLmax,ηc;(2)保持(1)中Vcc,Ibm不变,将IcQ增加一倍，求PL值;(3)保持(1)中ICQ,R'L,Ibm不变，将Vcc增加一倍,求PL值;(4)在(3)条件中,将Ibm增加一倍，试分析工作状态。
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(2)为了提高输入电阻,稳定输出电压,且减小非线性失真,应引
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图LP6-13所示为平方根电路,已知R1=R2=R3=R4,试证:υ0=
,设各集成运放是理想的,各晶体管特性相同.
试求比较特性vO-vi及迟滞宽度∆V。
