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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（)。

A.体电阻上压降

B.势垒区的产生与复合

C.大注入条件

D.pn结反向击穿

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第1题

当承受正向电压时，PN结电流是（)。

A.多数载流子形成的

B.近似为零

C.少数载流子形成的

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第2题

PN结击穿的两种类型是：雪崩击穿;（)

A.雪塌击穿

B.齐纳击穿

C.电压击穿

D.电流击穿

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第3题

PN结具有单向导电性，加正向电压时，电流大，电阻小，呈（)状态;加反向电压时，电流小，呈截止状态。

A.导通

B.截止

C.关断

D.开路

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第4题

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：(1)该管

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示（其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：（1)该管

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：

(1)该管是耗尽型还是增强型？

(2)是N沟道还是P沟道FET？

(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压V_P还是开启电压V？其值等于多少？

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第5题

为了得到各种实际电源的电路模型，定义两种理想的电路元件，它们是（)源。

A.独立电流

B.独立电压

C.集合电压

D.集合电流

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第6题

CMOS反相器的域值电压等于电源电压的()，转折区电压变化率()，接近于理想的开关特性。噪声容限约为电源电压的()。

CMOS反相器的域值电压等于电源电压的（)，转折区电压变化率（)，接近于理想的开关特性。噪声容限约为电源电压的（)。

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第7题

关于pn结的注入特性，以下说法正确的是？（)

A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一

B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度，要想获得大的注入比就要求

C.决定异质pn结注入比的是，通常可获得较大的注入比

D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比

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第8题

锗材料二极管的PN结导通电压典型值为（)。

A.0.5V

B.0.1V

C.0.3V

D.0.7V

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第9题

PN结外加P正N负的电压时，其正向导通。（)

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第10题

肖特基二极管的导通电压小于可比较的pn结。（)

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第11题

电路如图题2.3.1所示，v_s=1V，设运放是理想的。(1)求i₁，i₁，i₂、v₀和i_L的

电路如图题2.3.1所示，v_s=1V，设运放是理想的。（1)求i₁，i₁，i₂、v₀和i_L的

值;(2)求闭环电压增益A_P=v₀/v_s、电流增益A_i=i_L/i₁和功率增益A_P=P₀/P_i;(3)当最大输出电压V_o(max)=10V，反馈支路R₁、R₂的电流为100μA，R₂=9R₁时，求R₁、R₂的值。

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