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普通晶闸管有两个pn结。()

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第1题
()是三个PN结、四层结构的半导体器件

A.半导体二极管

B.半导体三极管

C.晶闸管

D.齐纳管

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第2题
单结晶体管有一个PN结,两个基极,因此称为单结三极管。()A.正确;B.错误

单结晶体管有一个PN结,两个基极,因此称为单结三极管。()

A.正确;

B.错误

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第3题
晶体管能够放大的内部条件是()。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

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第4题
晶体三极管是具有二个PN结的三层半导体器件。()
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第5题
PN结空间电荷区中心处电势为最大。()
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第6题
肖特基二极管的导通电压小于可比较的pn结。()
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第7题
PN结外加P正N负的电压时,其正向导通。()
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第8题
PN结雪崩效应和隧道效应引起的击穿统称为电击穿。()
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第9题
PN结就是在P型和N型的交界处形成的一个具有特殊性质的区域。()
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第10题
光电二极管PN结工作在反向偏置状态,在光的照射下,反向电流随光照强度的增加而上升。()
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第11题
发光二极管的核心部分是由下列哪种半导体组成的晶片?()

A.P型半导体

B.N型半导体

C.P型半导体和N型半导体

D.PN结

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