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（请给出正确答案）
[多选题]
关于本征吸收，以下说法正确的是？（)
A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
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B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
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A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程
B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
C.作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势
D.辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁
A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
A.多数载流子基本上由掺杂形成，所以多子浓度接近掺杂浓度
B.少数载流子由本征激发形成
C.多子浓度远大于少子浓度
D.若在一块半导体材料中同时掺入施主杂质和受主杂质，则产生杂质补偿作用，杂质半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定
