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第1题
直流电机横剖面示意图如下图所示，()是正确的。
A.1—电枢绕组;5—换向极绕组;6—励磁绕组
B.1—励磁绕组;5—换向极绕组;6—电枢绕组
C.1—电枢绕组;5—励磁绕组;6—换向极绕组
第8题
在图7.9.7所示的分压式自偏共源放大电路中，RG=1MΩ，RG1=40kΩ，RG2=10Ω，RD=RS=2
.5Ω，RL=10kΩ，UDD=20V，各电容的容抗均可忽略，已知场效应管的夹断电压Up=2V，饱和漏极电流IDSS=8mA。
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(1) 求静态工作点和跨导;
(2) 画出微变等效电路，计算电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
第11题
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|V≇
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,
Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.
