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[单选题]
某场效应管的电路符号如图1所示，该管为()。
某场效应管的电路符号如图1所示，该管为()。
A.P沟道增强型MOS管
B.P沟道耗尽型MOS管
C.N沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
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电路如图LPS4-6(a)所示,已知场效应管T1型号为M2N6756,T2型号为M2N6806,
试画出电路传输特性.若υ1为正5V直流电压上叠加幅度10mV、频率1kHz的正弦信号,试画输出信号波形,并分析两管是否工作在饱和区.
)所示。电路参数为，Rg1=180千欧，Rg2=60千欧，Rd=10千欧，RL=20千欧，VDD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线，决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当vi=0.5sinwt(V)时求出相应的v0波形和电压增益。
已知某电路的幅频特性如图P5.4所示,试问:(1)该电路的耦合方式;(2)该电路由几级放大电路组成;(3)当f=104Hz时,附加相移为多少？当f=105Hz时,附加相移又约为多少？(4)该电路的上限频率fg为多少？
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：
(1)该管是耗尽型还是增强型？
(2)是N沟道还是P沟道FET？
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V？其值等于多少？
何作用：(2)恒流源在电路中起何作用;(3)电路中引入了D1，D2作为过载保护，试说明其理由。
试用双4选1数据选择器74153和少量门设计一个有4个输入X3、X2、X1、X0和2个输出Y1、Y0的逻辑电路.电路输入为余3BCD码,输出为用2位二进制数表示的输入码中“1”的个数,例如,当输入X3X2X1X0=1010时,输出Y1Y0=10.当非余3码(伪码)输入时,要求输出Y1Y0=00.要求写出设计过程,画出电路图(规定X3、X2分别和数据选揮器地址码的高、低位相连接,74153的逻辑符号和功能表分别如图10.43和表10.6所示).
基本放大电路如图P3.3(a)、(b)所示,图(a)虚线框内为电路Ⅰ,图(b)虚线框内为电路Ⅱ.由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示,它们均正常工作.试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中
(1)哪些电路的输入电阻较大;
(2)哪些电路的输出电阻较小
(3)哪个电路的电压放大倍数最大.
