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第1题
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出V
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,
试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
第5题
（1)试求左图所示运算放大电路的传递函数Eo（s)/Ei（s)（2)如果系统的信号流图如右图所示，
(1)试求左图所示运算放大电路的传递函数Eo(s)/Ei(s)
(2)如果系统的信号流图如右图所示，求传递函数Y6(s)/Y1(s),Y3(s)/Y1,(x)和Y5(s)/Y2(s)。
第9题
电路如图P2.4（a)所示,图（b)是晶体管的输出特性,静态时UBEQ=0.7V.利用图解法分别求出RL
电路如图P2.4(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时UBEQ=0.7V.利用图解法分别求出RL=∞和RL=3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom(有效值).
第10题
四边简支的矩形薄板，如题9-2图所示，边长为a和b，受有荷载试证能满足一切条件，并求出挠度、弯矩和反
四边简支的矩形薄板，如题9-2图所示，边长为a和b，受有荷载
试证
能满足一切条件，并求出挠度、弯矩和反力。
