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[单选题]

在本征半导体中掺入少量（）价元素可以构成N型半导体

A.三

B.五

C.四

D.二

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第1题

N型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。（)

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第2题

P型半导体可通过在本征半导体中掺入五价磷元素而获得。（)

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第3题

P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的，其多子是()，少子是()。

P型半导体是在本征半导体中掺入（)价杂质形成的，其多子是（)，少子是（)。

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第4题

一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为10¹⁴cm^-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

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第5题

半导体中掺入（)族元素，则可形成P型半导体，掺入（)族元素则可以形成N型半导体。

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第6题

关于辐射跃迁，以下说法正确的是？（)

A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程

B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁

C.作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势

D.辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁

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第7题

本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是（)。

A.大于

B.小于

C.等于

D.无关

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第8题

本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的,同时产生的。（)

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第9题

在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（)。

A.W型

B.N型有P型

C.U型

D.V型

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第10题

半导体中的光吸收，主要有以下哪几种？（)

A.本征吸收

B.自由载流子吸收

C.杂质吸收

D.激子吸收

E.谷间跃迁吸收

F.D-A对吸收

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第11题

N型电导体是纯净半导体加入（)后形成的半导体。

A.电子

B.硼元素(三价)

C.锑元素(五价)

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