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[判断题]

在外加磁场为零,霍尔元件用交流激励时会产生寄生直流电势,其产生的原因之一是激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布。()

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第1题
开关式霍尔与闭环式霍尔电流传感器的区别在于()。‎
开关式霍尔与闭环式霍尔电流传感器的区别在于()。‎

A.霍尔元件输出电压的表达式中,I是由外部被测磁场产生的

B.开关式与闭环式霍尔电流传感器中,霍尔元件在测量电流时,输出电压均为零

C.一般而言开环式霍尔传感器响应速度更快

D.闭环式霍尔传感器的结构更为复杂

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第2题
减小霍尔元件的输出不等位电势的办法是()。

A.减小激励电流

B.减小磁感应强度

C.使用电桥调零电位器

D.降低灵敏度

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第3题
利用霍尔元件可以测量磁场的磁感应强度。设一用金属材料制成的霍尔元件,其厚度为0.15mm, 载流子数密度为1.0x1025/m3,将霍尔元件放入待测的匀强磁场中,测得霍尔电势差为40μV、电流为10mA, 求待测磁场的磁感应强度。

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第4题
由于制作霍尔元件时,不能保证将霍尔电极焊在同一等位面上,因此在使用时,即使磁感应强度为零,在霍尔电势极上也会产生()。

A.寄生直流电势

B.感应电势

C.不等位电势

D.霍尔电势

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第5题
无外磁场时,霍尔元件在额定控制电流下,两个霍尔电极之间的开路电势称为()。

A.初始电势

B.零位电势

C.不等位电势

D.不平衡电势

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第6题
在外加磁场的作用下,各个磁矩重新排列,宏观的合成磁矩不再为零。()
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第7题
检测磁场的元件有哪些()?

A.MR元件、霍尔元件

B.MR元件、半导体元件

C.电子元件、霍尔元件

D.电子元件、半导体元件

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第8题
下列关于磁阻元件的说法错误的是()。

A.InSb-NiSb共晶材料的特点是在InSb的晶体中掺有NiSb,在结晶过程中会析出NiSb针状晶体

B.长方形磁阻元件在外加磁场作用下,物理磁阻效应和几何磁阻效应同时存在

C.长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系

D.常见的磁阻元件有长方形磁敏电阻元件、科宾诺元件、InSb-NiSb共晶磁阻元件

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第9题
霍尔位置传感器是一种磁传感器,霍尔传感器以霍尔效应为工作基础,一般是由霍尔元件和其附属电路组成的集成传感器,用它可以检测磁场变化。()
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第10题
霍尔元件具有对磁场敏感、结构复杂、体积大、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点。()

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