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[判断题]

过共晶铸铁按介稳定系结晶,在液相线与共晶线之间首先析出初生石墨。()

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第1题
含碳量大于4.3%的铁碳合金称为()。

A.共晶白口铸铁

B.亚共晶白口铸铁

C.过共晶白口铸铁

D.共析白口铸铁

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第2题
Mg-Ni系的一个共晶反应为:L(23.5Wt.%Ni) ——>α(纯镁)+Mg2Ni(54.6Wt.%Ni) ,如图所示。设C1为亚共晶合金,C2为过共晶合金,这两种合金中的先共晶相的重量分数相等,但C1合金中的α 总量为C2合金中的α 总量的2.5倍,试计算C..

Mg-Ni系的一个共晶反应为:L(23.5Wt.%Ni) ——>α(纯镁)+Mg2Ni(54.6Wt.%Ni) ,如图所示。设C1为亚共晶合金,C2为过共晶合金,这两种合金中的先共晶相的重量分数相等,但C1合金中的α 总量为C2合金中的α 总量的2.5倍,试计算C1和C2的成分。

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第3题
在结晶过程中为制的大颗粒的结晶,过饱和度应控制在()内。

A.稳定区

B.介稳区

C.不稳定区

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第4题
制碱塔内,在结晶过程中,为制的大颗粒的结晶,过饱和度应控制在()内。

A.稳定区

B.介稳区

C.不稳区

D.冷却段

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第5题
下列关于磁阻元件的说法错误的是()。

A.InSb-NiSb共晶材料的特点是在InSb的晶体中掺有NiSb,在结晶过程中会析出NiSb针状晶体

B.长方形磁阻元件在外加磁场作用下,物理磁阻效应和几何磁阻效应同时存在

C.长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系

D.常见的磁阻元件有长方形磁敏电阻元件、科宾诺元件、InSb-NiSb共晶磁阻元件

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第6题
聚合物随取向条件的不同,取向单元也不同,取向结构单元包括和分子链取向,对于结晶聚合物还可能有的取向。()是有序性最低的液晶晶型。

A.向列型

B.近晶A型

C.近晶C型

D.胆甾型

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第7题
在结晶操作中,含有过量细晶的母液取出后(),然后送回结晶器。
在结晶操作中,含有过量细晶的母液取出后(),然后送回结晶器。

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第8题
点偏析是由于铸锭结晶时,在柱状晶的末端与锭型等轴晶区之间,聚集了较多的杂质和孔隙而形成的。()
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第9题
谷氨酸结晶析出包括()

A.浓缩

B.起晶

C.整晶

D.育晶

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第10题
三七、人参、西洋参三者所含草酸钙结晶的类型是()

A.方晶

B.针晶

C.柱晶

D.簇晶

E.砂晶

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第11题
结晶型药物呈现不同的晶型,包括针状结晶,鳞片结晶等。()
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