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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流IC迅速增大，这种首先出现的击穿是雪崩击穿，称为（)

A.一次击穿

B.反向击穿

C.二次击穿

D.临界饱和

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更多“当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流IC迅速增大…”相关的问题

第1题

热击穿的特点是：当外施电压作用时间长时，击穿电压下降，介质的温度降低;随着周围温度的升高，击穿电压升高。（)

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第2题

GTR在应用中应特别注意二次击穿问题，在电感性负载和大电流开关电路中，二次击穿是晶体管毁坏

GTR在应用中应特别注意二次击穿问题，在电感性负载和大电流开关电路中，二次击穿是晶体管毁坏的主要原因。二次击穿将造成GTR的永久性损坏，不具有可逆性。发生二次击穿必须同时具备三个条件，即高电压、大电流和()。

A . 电场

B . 持续时间

C . 磁场

D . 应力

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第3题

在GTR作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（)。

A.失控

B.二次击穿

C.不能控制关断

D.不能控制开通

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第4题

如果三极管的集电极£发射极间电压Uce大于集电极£发射极击穿电压BUceo管子会击穿损坏或性能下降。（)

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第5题

三极管的集电极发射极击穿电压是指什么条件下允许施加在集电极与发射极之间的最大电压（)。

A.三极管基极开路

B.三极管基极对地短路

C.三极管基极对电源短路

D.三极管基极对集电极短路

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第6题

三极管的主要参数有()。

三极管的主要参数有（)。

A . 反向饱和电流

B . 穿透电流

C . 集电极最大允许电流

D . 集电极-发射极击穿电压

E . 集电极最大允许耗散功率

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第7题

为减小BJT集电结势垒区渡越时间，可通过增加集电区掺杂浓度，降低集电极电阻率，减小击穿电压。（)

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第8题

硅稳压管与普通二极管一样,当反向电压达到击穿电压时,将击穿损坏。（)

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第9题

两共轴导体圆筒，内筒外半径为R₂，外简内半径为R₂ （R＜2R₂)，其间有两噌均匀电介质，

两共轴导体圆筒，内筒外半径为R₂，外简内半径为R₂（R＜2R₂)，其间有两噌均匀电介质，

两共轴导体圆筒，内筒外半径为R₂，外简内半径为R₂(R＜2R₂)，其间有两噌均匀电介质，分界面半径为a，内层介电常量为ε₁，外层介电常量为ε₂=ε₁/2，两电介质的介电强度都是E_m，当电压升高时，哪层电介质先击穿？试证两筒之间所允许的最大心势差为：

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第10题

当高压电缆击穿造成短路时，一次电压和电流都很大，而二次电压和电流都很小。（)

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第11题

当加在电容器上的电压高到一定程度时，介质的绝缘就会损坏，介质就变成了导体，这一极限电压称为电容器的击穿电压或叫电容器的()。

当加在电容器上的电压高到一定程度时，介质的绝缘就会损坏，介质就变成了导体，这一极限电压称为电容器的击穿电压或叫电容器的（)。

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