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[单选题]
n沟增强型MOS管在栅压为零时，由于氧化层中正电荷的作用，半导体表面为（)状态，开启电压为（)。
A.积累，正值
B.耗尽，正值
C.积累，负值
D.耗尽，负值
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A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加，阈值电压增加
A.空穴，由源端到漏端
B.空穴，由漏端到源端
C.电子，由源端到漏端
D.电子，由漏端到源端
A.器壁效应
B.临界孔效应
C.沟流效应
D.冷却效应
A.为了让测压管里润湿
B.由于空气是可压缩流体，并使指示的液体(测压导管内液体)不连续，所以为了保证读数的准确性要排气
C.为了让测压管里指示液的液位高些
D.滞流与湍流的流线都与管轴平行
