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[多选题]
关于价带中的空穴，以下描述正确的是？（)
A.空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动
B.空穴常出现在价带顶
C.空穴的有效质量为正
D.空穴常出现在导带底部
E.空穴的有效质量为负
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B.空穴常出现在价带顶
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D.空穴常出现在导带底部
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B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征
A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
A.中性区
B.欧姆电极
C.耗尽区
D.扩散区
A.迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值
B.迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度
C.电子的迁移率为正
D.电子的迁移率大于空穴的迁移率
E.电子的迁移率为负，空穴的迁移率为正
F.电子的迁移率小于空穴的迁移率G、电子的迁移率等于空穴的迁移率
A.费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上空着的一个分界线
B.费米能级的位置比较直观的反映了电子占据量子态的状况
C.费米能级标志着电子填充能级的水平
D.费米能级是导带和价带的一个分界线
E.费米能级标志着电子填充导带的水平
F.费米能级标志着电子填充价带的水平G、处于热平衡状态的电子系统不具有统一的费米能级
A.半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值
B.空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场
C.空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化
D.对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值
A.载流子在电场作用下的定向运动
B.载流子的无规则热运动
C.载流子的无规则热运动
D.漂移速度是一个平均值，且是一个有限值
E.电子和空穴的漂移运动方向相反，但形成的漂移电流密度都与电场方向一致
A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
