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[单选题]

下面有关钢管水浸探伤的叙述中哪点是错误的?()

A.使用水浸式纵波探头

B.探头偏离管材中心线

C.无缺陷时,荧光屏上只显示始波和1~2次底波

D.水层距离应大于钢中一次波声程的1/2

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第1题
钢管水浸聚焦法探伤中,下面有关点聚焦方式的叙述中哪条是错误的?()

A.对短缺陷有较高探测灵敏度

B.聚焦方法一般采用圆柱面声透镜

C.缺陷长度达到一定尺寸后,回波幅度不随长度而变化

D.探伤速度较慢

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第2题
钢管水浸探伤时,水中加入适量活性剂是为了改善水的润湿性,减少附着在探头和钢管表面的气泡。()
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第3题
钢管水浸探伤时,水中加入适量润湿剂的目的是()

A.调节水的粘度

B.消除水中气泡

C.提高水的浸润能力

D.防止水的混浊

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第4题
水浸法探伤中探头与试件不接触,()的发射与接收都比较稳定。

A.超声束

B.超声波

C.超声能

D.粒子波

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第5题
在钢板的水浸探伤中,如果入射角为33°(sin33°=0.545),在板中将会产生()

A.纵波

B.横波

C.纵波与横波两种都有

D.没有纵波,也没有横波

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第6题
管材水浸法周面弦向入射横波探伤时,入射角的选择通常是利用调整水距来实现的。()
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第7题
在管子的水浸聚焦探伤中,设Ra为管子外径,Ri为管子内径,CL1为水的纵波声速,CS2为管子的横波声速,CL2为管子的纵波声速,适合横波探伤的折射角βs应满足()

A.(Ri/Ra)≥tgβs≥(CL1/CS2)

B.(Ri/Ra)≥tgβs≥(CL2/CL1)

C.(Ri/Ra)≤sinβs≤(CL2/CL1)

D.(Ri/Ra)≥sinβs≥(CS2/CL2)

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第8题
锻件水浸法纵波垂直入射探伤时,对水层距离的要求是使第二次界面回波落在第一次底波之后,并且尽可能利用距离£­振幅曲线上的高声压区。()
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第9题
对于形状复杂的锻件,较好的处理方法是()

A.用C-扫描法对精加工好的锻件进行水浸自动探伤

B.对成品件进行手工接触法探伤

C.对锻前的坯料进行检验,精加工后对形状许可的部位再做检验

D.只对锻前坯料进行检验

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第10题
下面有关ROM和RAM的叙述中,错误的是()。

A.RAM是可读可写存储器,ROM是只读存储器

B.ROM和RAM都采用随机访问方式进行读写

C.系统的主存由RAM和ROM组成

D.系统的主存都用DRAM芯片实现

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第11题
已选定某一聚焦探头对管材作水浸聚焦探伤,如果聚焦点不能调整到被检管件的中心轴线上,而是偏离中心轴线一定距离,在管壁内将出现()。
已选定某一聚焦探头对管材作水浸聚焦探伤,如果聚焦点不能调整到被检管件的中心轴线上,而是偏离中心轴线一定距离,在管壁内将出现()。

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