题目内容
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[单选题]
pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括()。
A.体电阻上压降
B.势垒区的产生与复合
C.大注入条件
D.pn结反向击穿
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A.体电阻上压降
B.势垒区的产生与复合
C.大注入条件
D.pn结反向击穿
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问:
(1)该管是耗尽型还是增强型?
(2)是N沟道还是P沟道FET?
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V?其值等于多少?
A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一
B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度,要想获得大的注入比就要求
C.决定异质pn结注入比的是 ,通常可获得较大的注入比
D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比
值;(2)求闭环电压增益AP=v0/vs、电流增益Ai=iL/i1和功率增益AP=P0/Pi;(3)当最大输出电压Vo(max)=10V,反馈支路R1、R2的电流为100μA,R2=9R1时,求R1、R2的值。