设数列{xn}的一般项为问?求出N,使当n>N时,xn与其极限之差的绝对值小于正数e.当c=0.001时,求出数N.
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,
Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.
证明定理7.9
定理7.9设{xn}为有界数列.
(1)为{xn}上极限的充要条件是
(2)为{xn}下极限的充要条件是