如果结果不匹配，请 
更多“半导体中的空穴也是一种载流子。()”相关的问题
B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征
A.迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值
B.迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度
C.电子的迁移率为正
D.电子的迁移率大于空穴的迁移率
E.电子的迁移率为负，空穴的迁移率为正
F.电子的迁移率小于空穴的迁移率G、电子的迁移率等于空穴的迁移率
A.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
A.载流子在电场作用下的定向运动
B.载流子的无规则热运动
C.载流子的无规则热运动
D.漂移速度是一个平均值，且是一个有限值
E.电子和空穴的漂移运动方向相反，但形成的漂移电流密度都与电场方向一致
A.载流子在浓度梯度作用下的定向运动
B.均匀掺杂的半导体，处于热平衡状态时，不产生扩散运动
C.不论是平衡载流子还是非平衡载流子，只要存在浓度梯度，都会产生扩散运动
D.载流子在电场作用下的定向运动
E.载流子的无规则热运动
F.扩散运动是平衡载流子的主要运动形式之一
