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题目内容 (请给出正确答案)
[多选题]

关于“载流子的漂移运动”,以下说法正确的是:()。

A.载流子在电场作用下的定向运动

B.载流子的无规则热运动

C.载流子的无规则热运动

D.漂移速度是一个平均值,且是一个有限值

E.电子和空穴的漂移运动方向相反,但形成的漂移电流密度都与电场方向一致

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更多“关于“载流子的漂移运动”,以下说法正确的是:()。”相关的问题
第1题
关于“载流子的迁移率”,以下说法正确的是:()。

A.迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值

B.迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度

C.电子的迁移率为正

D.电子的迁移率大于空穴的迁移率

E.电子的迁移率为负,空穴的迁移率为正

F.电子的迁移率小于空穴的迁移率G、电子的迁移率等于空穴的迁移率

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第2题
关于“载流子的扩散运动”,以下说法正确的是:()。

A.载流子在浓度梯度作用下的定向运动

B.均匀掺杂的半导体,处于热平衡状态时,不产生扩散运动

C.不论是平衡载流子还是非平衡载流子,只要存在浓度梯度,都会产生扩散运动

D.载流子在电场作用下的定向运动

E.载流子的无规则热运动

F.扩散运动是平衡载流子的主要运动形式之一

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第3题
PN结中多子的扩散运动和少子的漂移运动,都是直接由载流子浓度差所形成的。()

此题为判断题(对,错)。

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第4题
载流子在电场力作用下的()运动称为漂移运动。

A.定向

B.正向

C.反向

D.漂移

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第5题
硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大。()
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第6题
为定量分析MOSFET电流-电压特性,可以假定()。

A.漏区和源区的电压降可以忽略不计

B.沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多

C.在沟道内载流子的迁移率为常数

D.其他选项都正确

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第7题
短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移,这是由于热载流子效应,一般这个效应使NMOS器件的阈值电压(),使PMOS器件的阈值电压()。‏

A.升高;升高

B.降低;升高

C.降低;降低

D.升高;降低

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第8题
以下关于电流的说法正确的是()。A.电荷运动就形成电流B.电荷的定向移动形成电流C.只有正电荷的移

以下关于电流的说法正确的是()。

A.电荷运动就形成电流

B.电荷的定向移动形成电流

C.只有正电荷的移动,才能形成电流

D.只有自由电子的移动,才能形成电流

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第9题
以下关于康复治疗对维持性血液透析患者合并脑血管病功能障碍的优势说法正确的是:()

A.改善运动耐力

B.提高生活质量

C.减少住院次数

D.减少焦虑抑郁

E.以上都是

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第10题
以下关于按钮的说法正确的是()。

A.利用机械生产机械的运动部件对按钮操作机构的碰撞而使触头动作

B.可实现过载保护

C.可作点动控制

D.可作短路保护

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