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[主观题]
电路如图P2.11所示,晶体管β=100,rbb<／sub>=100Ω（1)求电路的Q点、Au<／sub>、Ri<／sub>,和R0<／sub>;（2)若改用β=200的晶体管,则Q点如何变化？（3)若电容Ce<／sub>开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
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测试NPN型晶体管穿透电流的电路如图P6.19所示.
(1)电路中引入了哪种反馈？测试晶体管穿透电流的原理是什么？
(2)选择合适的R,在Multisim环境下测试晶体管的穿透电流.
电路如图P2.4(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时UBEQ=0.7V.利用图解法分别求出RL=∞和RL=3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom(有效值).
(1)静态工作点;
(2)差模电压放大倍数和共模电压放大倍数;
(3)共模抑制比;
(4)差模输入电阻和输出电阻。
和输出电阻R0。
;图(b)中Ma=0.3。试求图(a)中电路不产生负峰切割失真和惰性失真的C和Ri2值。图(b)中可变电阻R2接触点在中心位置时，是否会产生负峰切割失真？
电路如图题2.1.1所示，运放的
设输出电压的最大饱和电压值±Vom=±11V.(1)如果vP=25μV,vN=100μV,试求输出电压v0=？实际上v0应为多少？(2)设Vom=±11V,画出它的传输特性。
值;(2)求闭环电压增益AP=v0/vs、电流增益Ai=iL/i1和功率增益AP=P0/Pi;(3)当最大输出电压Vo(max)=10V，反馈支路R1、R2的电流为100μA，R2=9R1时，求R1、R2的值。
