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[判断题]

负载效应是指因刻蚀面积变化而导致的刻蚀均匀性的变化，刻蚀速率随着被刻蚀薄膜暴露的面积的增加而下降。（)

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第1题

多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（)的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.单晶硅

D.多晶硅

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第2题

物理化学刻蚀中既有（)的碰撞，又有（)的反应。

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第3题

离子束加工技术利用注入效应加工的是（)。

A.溅射镀膜

B.离子镀

C.离子注入

D.离子束刻蚀

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第4题

反应离子刻蚀RIE工作过程中若物理作用占主导则刻蚀损伤较大;若化学作用占主导则刻蚀速度较慢，各项同性，表面粗糙。（)

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第5题

通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。

通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（)的刻蚀速率尽量低。

A.光刻胶

B.衬底

C.表面硅层

D.扩散区

E.源漏区

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第6题

高选择比意味着只去除想要刻蚀掉的膜层材料，所以选择比要求越高越好。（)

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第7题

麦克白效应是指对莎士比亚戏剧的喜爱会导致人们增加对英国产品的消费。（)

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第8题

因环境因素而导致的环境变化是指（)A.环境影响B.环境改善C.环境改造

因环境因素而导致的环境变化是指()

A.环境影响

B.环境改善

C.环境改造

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第9题

干法刻蚀主要包括下面几类（)。

A.离子束刻蚀IBE

B.等离子体刻蚀PE

C.反应离子刻蚀RIE

D.高密度等离子体刻蚀HDP

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第10题

下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。

下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（)。

A.CF4

B.BCl3

C.Cl2

D.F2

E.CHF3

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