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题目内容 (请给出正确答案)
[多选题]

关于pn结的注入特性,以下说法正确的是?()

A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一

B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度,要想获得大的注入比就要求

C.决定异质pn结注入比的是 ,通常可获得较大的注入比

D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比

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第1题
pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括()。

A.体电阻上压降

B.势垒区的产生与复合

C.大注入条件

D.pn结反向击穿

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第2题
二极管的核心部分是一个PN结,其基本特性是具有()导电性。
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第3题
半导体激光器产生光子是对PN结注入()

A.正向电流

B.反向电流

C.光子

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第4题
简述PN结反向电压—电流特性;反向饱和电流及方向;PN结的电压—电流特性。

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第5题
PN结反向偏置时,PN结的内电场___。PN具有___特性。

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第6题
半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,其主要特性是()

A.具有放大特性

B.具有改变电压特性

C.具有单向导电性

D.具有增强内电场性

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第7题
异质结的超注入现象是指?()

A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度

C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

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第8题
PN结具有()的特性。

A.不导电

B.单向导电

C.超导

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第9题
下列关于公称压力的说法,不正确的是()。

A.由字母PN和后跟无量纲的数字组成

B.与管道的力学性能和尺寸特性有关

C.用来衡量管道的承压能力的标识

D.就是管道的最高允许工作压力

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第10题
对于二极管温度传感器下列说法正确的是()。

A.二极管温度传感器的原理是PN结的电流随温度而变化

B.二极管温度传感器的原理是PN结的电压随温度而变化

C.三极管不可以代替二极管做成温度传感器

D.其它选项都对

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