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[主观题]

P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。

P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。

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第1题

P型半导体可通过在本征半导体中掺入五价磷元素而获得。()

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第2题
在本征半导体中掺入少量()价元素可以构成N型半导体

A.三

B.五

C.四

D.二

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第3题
在本征半导体硅中,掺入微量的()元素,就形成了N型半导体。

A.四价

B.三价

C.五价

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第4题
N型半导体是在本征半导体中,加入少量的三价元素构成的杂质半导体。()
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第5题
在半导体中掺入微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。

A.W型

B.N型有P型

C.U型

D.V型

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第6题
本征半导体是纯净半导体,而杂质半导体则是掺入大量杂质的半导体。()
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第7题
半导体中掺入()族元素,则可形成P型半导体,掺入()族元素则可以形成N型半导体。

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第8题
关于辐射跃迁,以下说法正确的是?()

A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程

B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁

C.作为半导体发光材料,要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势

D.辐射跃迁包括带间跃迁,有杂质或缺陷参与的跃迁,以及带内跃迁

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第9题
根据掺入杂质性质的不同,杂质半导体分()型和()型半导体。
根据掺入杂质性质的不同,杂质半导体分()型和()型半导体。

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第10题
本征半导体是(),导电能力弱。

A.纯净半导体

B.杂质半导体

C.普通半导体

D.掺杂半导体

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