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[主观题]

一非线性器件的伏安特性为式中很小,满足线性时变条件,则在三种情况下,画出g(v1)波形,并求

一非线性器件的伏安特性为式中很小,满足线性时变条件,则在三种情况下,画出g(v1)波形,并求

一非线性器件的伏安特性为一非线性器件的伏安特性为式中很小,满足线性时变条件,则在三种情况下,画出g(v1)波形,并求一非线性式中一非线性器件的伏安特性为式中很小,满足线性时变条件,则在三种情况下,画出g(v1)波形,并求一非线性很小,满足线性时变条件,则在一非线性器件的伏安特性为式中很小,满足线性时变条件,则在三种情况下,画出g(v1)波形,并求一非线性三种情况下,画出g(v1)波形,并求出时变增量电导的表示式,分析该器件在哪种情况下能实现调制、解调和混频等频谱搬移功能。

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第1题
一非线性器件的伏安特性为式中,若V2m很小,满足线性时变条件,则在VQ=-V1m/2、 0、V

一非线性器件的伏安特性为式中,若V2m很小,满足线性时变条件,则在VQ=-V1m/2、 0、V1m三种情况下,画出g(v1)波形,并求出时变增量电导的表示式,分析该器件在哪种情况下能实现调制、解调和混频等频谱搬移功能。

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第2题
以下选项中,伏安特性遵循欧姆定律的是()

A.非线性电阻元件

B.线性电阻元件

C.非线性和线性电阻元件都遵循

D.非线性和线性电阻元件都不遵循

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第3题
欧姆接触的特征是?()

A.伏安特性近似为线性,且是对称的

B.接触引入的电阻很小

C.不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著改变

D.具有单向导电特性

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第4题
利用半导体器件的()特性可实现整流。

A.伏安

B.稳压

C.双向导电性

D.单向导电

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第5题
试求图NP4-15所示的单平衡混频器的输出电压vo(t)表示式。设二极管的伏安特性均为从原点出
试求图NP4-15所示的单平衡混频器的输出电压vo(t)表示式。设二极管的伏安特性均为从原点出

发,斜率为gD的直线,且二极管工作在受vL控制的开关状态。

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第6题
某低通滤波器具有非线性相移特性,而幅频响应为理想特性.若H(jw)表示式为,其中H1(jw)为理
某低通滤波器具有非线性相移特性,而幅频响应为理想特性.若H(jw)表示式为,其中H1(jw)为理

某低通滤波器具有非线性相移特性,而幅频响应为理想特性.若H(jw)表示式为,其中H1(jw)为理想低通传输特性(见上题),,并可展开为

试求此系统的冲激响应,并与理想低通滤波器之冲激响应相比较.

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第7题
若二极管D的伏安特性可用图4.5.10(b)中的折线来近似,输人电压为试求图(a)中电流i各频谱成分的
若二极管D的伏安特性可用图4.5.10(b)中的折线来近似,输人电压为试求图(a)中电流i各频谱成分的

若二极管D的伏安特性可用图4.5.10(b)中的折线来近似,输人电压为

试求图(a)中电流i各频谱成分的0大小(设g、RL、VM均已知)。

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第8题
以测定电解过程中的电流一电压伏安曲线为基础的一大类电化学分析方法称为度伏安法,通常将使用()电极的伏安法称为极谱法。

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第9题
几何光学分析法是用射线光学理论分析光纤中光传输特性的方法,这种分析方法的前提条件是()。为解

几何光学分析法是用射线光学理论分析光纤中光传输特性的方法,这种分析方法的前提条件是()。为解决半导体激光器温度敏感问题,可以在驱动电路中进行(),或是采用制冷器来保持器件的温度稳定。

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第10题
在教材11.1节曾介绍的倒立摆系统重绘于图11-14.图中,摆长为L,不计长杆质量t,末端小球质量为m,
θ(1)是偏离垂线之角度,重力加速度为g,a(t)是小车加速度,x(t)表示扰动(如风吹)引起的角加速度.质沿垂直于杆方向的加速度应等于沿此方向施加之各种加速度之和,包括重力加速度、小草加速度和扰动加速度,按此要求建立的系统动态方程如下

此模型为非线性微分方程,在摆处于垂直位置附近,即θ(t)很小的情况下,取如下近似:,得到如下简化的线性方程

(1)设x(t)为激励信号,θ(t)是响应信号,若小车不动,即a(t)=0,写出系统函数表达式,并讨论系统的稳定性.

(2)研究适当移动小车对稳定性的影响.假定随θ(t)之变化按比例反馈作用使小车产生加速度,即a(t)=Kθ(t),K为比例系数.画出引入反馈后的系统方框图,并求反馈系统的系统函数.讨论系统的稳定性(分为Kg三种情况).

(3)改用比例-微分(PD)反馈控制,即

其中K1和K2都为正实系数.写出此反馈系统的系统函数,讨论为使系统稳定,K1,K2应满足何种约束条件?

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第11题
三极管的伏安特性是指它的()。

A.输入特性

B.输出特性

C.输入特性和输出特性

D.正向特性

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