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[判断题]

本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的,同时产生的。（)

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第1题

本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是（)。

A.大于

B.小于

C.等于

D.无关

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第2题

一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为10¹⁴cm^-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

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第3题

P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的，其多子是()，少子是()。

P型半导体是在本征半导体中掺入（)价杂质形成的，其多子是（)，少子是（)。

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第4题

关于辐射跃迁，以下说法正确的是？（)

A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程

B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁

C.作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势

D.辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁

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第5题

半导体中的光吸收，主要有以下哪几种？（)

A.本征吸收

B.自由载流子吸收

C.杂质吸收

D.激子吸收

E.谷间跃迁吸收

F.D-A对吸收

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第6题

半导体中的空穴也是一种载流子。（)

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第7题

关于本征吸收，以下说法正确的是？（)

A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对

B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度

C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量

D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度

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第8题

力是物体与物体之间的互相作用，它们总是成对出现。是牛顿第几定律（)

A第一

B第二

C第三

D第四

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第9题

载体催化元件总是（)出现的。

A.单一

B.三个

C.成对

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第10题

晶体管能够放大的内部条件是（)。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

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第11题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？（)

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

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