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第2题
关于本征吸收，以下说法正确的是？（)
A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
第6题
关于价带中的空穴，以下描述正确的是？（)
A.空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动
B.空穴常出现在价带顶
C.空穴的有效质量为正
D.空穴常出现在导带底部
E.空穴的有效质量为负
第8题
以下关于“费米能级”的说法正确的是：（)。
A.费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上空着的一个分界线
B.费米能级的位置比较直观的反映了电子占据量子态的状况
C.费米能级标志着电子填充能级的水平
D.费米能级是导带和价带的一个分界线
E.费米能级标志着电子填充导带的水平
F.费米能级标志着电子填充价带的水平G、处于热平衡状态的电子系统不具有统一的费米能级
第9题
对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为：（)。
A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动
B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动
C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动
D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
第10题
异质结能带结构的特点包括：（)。
A.在两种材料的交界面处，能带弯曲不连续，形成“凹口”和“尖峰”
B.能带在交界面处，有一个突变(导带阶和价带阶)
C.能带的变化是连续的
D.能带的变化与两种材料的费米能级无关
第11题
下列关于费米能级的说法错误的是（)。
A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
