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[主观题]

受主获取电子的能量状态,处于禁带中价带顶附近,称为()。

受主获取电子的能量状态,处于禁带中价带顶附近,称为()。

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第1题
硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是(),离()近。

A.施主能级,导带底

B.施主能级,价带顶

C.受主能级,导带底

D.受主能级,价带顶

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第2题
关于价带中的空穴,以下描述正确的是?()

A.空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动

B.空穴常出现在价带顶

C.空穴的有效质量为正

D.空穴常出现在导带底部

E.空穴的有效质量为负

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第3题
本征激发指的是哪种电子跃迁?()

A.价带的电子跃迁到导带

B.导带的电子跃迁到价带

C.施主态上的电子跃迁到导带

D.受主态上的电子跃迁到价带

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第4题
半导体中受主能级的位置位于()中。

A. 禁带

B. 价带

C. 导带

D. 满带

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第5题
当载流子积累的能量超过禁带宽度时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带,从而产生一对新的电子空穴对,这就是碰撞电离过程,其主要发生在反偏PN结的()中。

A.中性区

B.欧姆电极

C.耗尽区

D.扩散区

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第6题
关于本征吸收,以下说法正确的是?()

A.是电子从价带到导带的跃迁,产生电子-空穴对

B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度

C.是电子从导带到价带的跃迁,并伴随发射光子能量

D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度

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第7题
下列关于费米能级的说法错误的是()。

A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远

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第8题
以下关于“费米能级”的说法正确的是:()。

A.费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上空着的一个分界线

B.费米能级的位置比较直观的反映了电子占据量子态的状况

C.费米能级标志着电子填充能级的水平

D.费米能级是导带和价带的一个分界线

E.费米能级标志着电子填充导带的水平

F.费米能级标志着电子填充价带的水平G、处于热平衡状态的电子系统不具有统一的费米能级

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第9题
以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是()。
A、半导体处于热平衡状态时,有确定的载流子浓度,即平衡载流子

B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级

C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡

D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态

E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态

F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态

G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级

H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征

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第10题
空带上能量最低的允带称为()。

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带

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第11题
关于辐射跃迁,以下说法正确的是?()

A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程

B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁

C.作为半导体发光材料,要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势

D.辐射跃迁包括带间跃迁,有杂质或缺陷参与的跃迁,以及带内跃迁

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